NTE6087 Dual Schottky Barrier Silicon Rectifier 45V 30A TO-220

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Features:
- Guarding for Stress Protection
- Low Forward Voltage
- +150°C Operating Junction Temperature
- Guaranteed Reverse Avalanche

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Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM...............................................45V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM................................................ 45V
DC Blocking Voltage, VR............................................................ 45V
Average Rectified Forward Current (VR = 45V, TC = +130°C), IF(AV).......................30A
Peak Repetitive Forward Current, IFRM
(Per Diode Leg, VR = 45V, Square Wave, 20kHz, TC = +130°C).................... 30A
Non-Repetitive Peak Surge Current, IFSM
(Per Diode Leg, Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60Hz).... 150A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2μs, 1kHz), IRRM................................ 1A
Voltage Rate of Change (VR = 45V), dv/dt........................................ 1000V/μs
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +175°C
Maximum Thermal Resistance, Junction-to-Case (Per Diode Leg), RthJC.............1.5°C/W


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind. Sprachen integrierter Schaltkreis integrated circuit, kurz IC, Mikrochip Microchip integreret kredsløb integreret kredslob circuito integrado (CI) circuit intégré (CI) circuit integre (CI) circuito integrato geïntegreerde schakeling geintegreerde schakeling Tümdevre Tuemdevre

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