NTE3312 Insulated Gate Bipolar Transistor N−Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

Formerly: ECG3312

Insulated Gate Bipolar Transistor N−Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

Features:
- High Input Impedance
- High Speed
- Low Saturation Voltage
- Enhancement Mode

Applications:
- High Power Switching
- Motor Control

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Emitter Voltage, VCES.................................................... 1200V
Gate−Emitter Voltage, VGES........................................................ ±20V
Collector Current, IC
DC.......................................................................... 8A
Pulse (1ms).................................................................16A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC........................................ 100W
Operating Junction Temperature, TJ...............................................+150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −55° to +150°C

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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.