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PNP Germanium Transistor 150mA 20V TO-1 Type 2SB54

Bestell-Nr.: 2SB54

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PNP Germanium Transistor TO-1 Type 2SB54

Type Designator: 2SB54
Material of Transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.15 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 12 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.15 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 75 °C
Transition Frequency (ft): 0.5 MHz
Collector Capacitance (Cc): 70 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 80
Package: TO1
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Typ: 2SB54

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Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind. Sprachen integrierter Schaltkreis integrated circuit, kurz IC, Mikrochip Microchip integreret kredsløb integreret kredslob circuito integrado (CI) circuit intégré (CI) circuit integre (CI) circuito integrato geïntegreerde schakeling geintegreerde schakeling Tümdevre Tuemdevre

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