NTE583 NTE-583 | ECG583 ECG-583 | NTE Electronics
NTE583
Silicon Rectifier Diode
Schottky, RF Switch DO-35
Description:
The NTE583 is a metal to silicon junction diode featuring high breakdown, low turn-on voltage and
ultrafast switching. This device is primarly intented for high level UHF/VHF detection and pulse application
with broad dynamic range.
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Diagrams and Info of most NTE-ECG Components
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C, Limiting Values)
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70V
Forward Continuous Current (Figure 1), IF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Surge Non-Repetitive Forward Current (tp ≤ 1s, Figure 1), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Figure 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400°C/W
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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig
ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz
für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für
fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen
Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten
vermerkt sind.