NTE456
N-Channel Silicon JFET General Purpose Amp, Switch

Description:
The NTE456 is an N-Channel junction silicon field-effect transistor in a TO72 type package designed for general purpose amplifier and switching applications.

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Drain-Source Voltage, VDS.......................................................... 30V
Drain-Gate Voltge, VDG.............................................................30V
Gate-Source Voltage, VGS.........................................................-30V
Drain Current, ID.................................................................15mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD.........................................300mW
Derate Above 25°C.......................................................2mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ...............................................+150°C
Storage Temperature Range, Tstg........................................ -65°C to +200°C


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.