NTE24 (NPN)
Silicon Complementary Transistors General Purpose Amplifier, Switch

See also >>> NTE25 (PNP)

Description:
The NTE24 (NPN) and NTE25 (PNP) are complementary silicon transistors in a TO237 type package designed for general purpose medium power amplifier and switching circuits that require collector currents to 1A.

Features: - High Collector-Emitter Breakdown Voltage: VCEO = 80V
- Exceptional Power Dissipation Capability

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Base Voltage, VCBO...................................................... 100V
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 80V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 5V
Collector Current, IC
Continuous...................................................................1A
Peak........................................................................ 2A
Power Dissipation, PD
TA = +25°C.............................................................. 850mW
TC = +25°C.................................................................. 2W
Junction Temperature, TJ(max).....................................................+150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.....................................50°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 167°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.