NTE11 NTE-11 | ECG11 ECG-11 | NTE Electronics
NTE11 (NPN)
Silicon Complementary Transistors
High Current Amplifier
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NTE/ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams
See also >>> NTE12 (PNP)
Description:
The NTE11 (NPN) and NTE12 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO92 type case designed
for use in low-frequency output amplifier, DC converter, and strobe applications.
Features:
- High Collector Current: IC = 5A Max
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Base Voltage, VCBO
NTE11...................................................................... 40V
NTE12...................................................................... 27V
Collector-Emitter Voltage, VCEO
NTE11...................................................................... 20V
NTE12...................................................................... 18V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 7V
Collector Current, IC
Continuous...................................................................5A
Peak........................................................................ 8A
Total Power Dissipation, PD...................................................... 750mW
Operating Junction Temperature Range, TJ.........................................+150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C
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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig
ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz
für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für
fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen
Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten
vermerkt sind.
