NTE5474 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 5 Amp 400V TO64

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Dieses pdf enthält Daten der Typen: NTE5470, NTE5471, NTE5472, NTE5473, NTE5474, NTE5475, NTE5476

See also >>> NTE5470 thru 5476

Description:
The NTE5470 through NTE5476 are multi-purpose PNPN silicon controlled rectifiers in a TO64 type stud mount package suitable for industrial and consumer applications.

Features:
- Uniform Low-Level Noise-Immune Gate Triggering
- Low Forward “ON” Voltage
- High Surge-Current Capability

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings: (Apply over operating temperature range unless otherwise specified)
Peak Repetitive Forward and Reverse Blocking Voltage (Note 1), VDRM, VRRM
NTE5470.................................................................... 50V
NTE5471...................................................................100V
NTE5472...................................................................200V
NTE5473...................................................................300V
NTE5474...................................................................400V
NTE5475...................................................................500V
NTE5476...................................................................600V
Forward Current RMS, ITRMS........................................................ 8A
Peak Forward Surge Current (One Cycle, 60Hz, TJ = -40° to +100°C), ITSM.............. 100A
Circuit Fusing (TJ = -40° to +100°C, t ≤ 8.3ms), I2t.................................40A2sec
Peak Gate Power, PGM.............................................................5W
Average Gate Power, PG(AV)........................................................ 0.5W
Peak Gate Current, IGM.............................................................. 2A
Peak Gate Voltage (Note 2), VGM.................................................... 10V
Operating Temperature Range, TJ.......................................... -40° to +100°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.....................................2.5°C/W
Stud Torque...................................................................15 in. lb.

Note 1. Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for blocking capability in a manner such that the voltage applied exceeds the rated blocking voltage.
Note 2. Devices should not be operated with a positive bias applied to the gate concurrently with a negative potential applied to the anode.


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.