NTE350
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

Description:
The NTE350 is a silicon NPN transistor in a T72H type package designed primarily for use in 12.5V VHF large-signal power amplifier applications required in commercial and industrial equipment to 300MHz.

Features:
- Specified 12.5V, 175MHz Characteristics:
Output Power = 15W
Minimum Gain = 6.3dB
Efficiency = 60%

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 18V
Collector-Emitter Voltage, VCES...................................................... 36V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 4V
Continuous Collector Current, IC.................................................... 2.5A
Total Device Dissipation (Note 1, TC = +25°C), PD.....................................31W
Derate Above 25°C.....................................................177mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C

Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the device is operated as an RF amplifier.


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.