NTE112
Silicon Small Signal Schottky Diode

Description:
The NTE112 is a metal to silicon junction diode in a DO35 type package primarly intended for UHF mixers and ultrafast switching applications.

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NTE/ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM................................................ 5V
Forward Continuous Current (TA = +25°C, Note 1), IF.................................30mA
Surge Non-Repetitive Forward Current (tp ≤ 1s, Note 1), IFSM.......................... 60mA
Operating Junction Temperature, TJ...............................................+125°C
Storage Temperature Range, Tstg...........................................-65° to +150°
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1), Rth (j-a)........................ 400°C/W
Maximum Lead Temperature (During soldering, 4mm from case, 10s max), TL.......... +230°C

Note 1. On infinite heatsink with 4mm lead length.


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.