N-Kanal J-FET 10mA 30V Typ BFW13

N-Channel Junction Field Effect Transistor
für Verstärkeranwendungen bis 300MHz.

Infos als pdf-File
Typ: BFW13

Unser Halbleiter Katalog
Weitere J-FET
Einzelhalbleiter (ganzes Sortiment)

Fehler und Änderungen bei technischen Daten, Abmessungen und Preisen bleiben vorbehalten. Bild kann vom Original abweichen.
Hat sich ein Fehler eingeschlichen? Bitte hier melden


Suchen Sie nach einem Ersatztypen?
Wir führen die NTE Austausch-Halbleiter in unserem Sortiment

Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind. Sprachen junction gate field-effect transistor (JFET or JUGFET) Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) transistor à effet de champ transistor ad effetto di campo a giunzione