NTE5689
TRIAC − 400V, 40Amp, 1/2” Press Fit

See also >>> NTE5688, NTE5690

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Off−State Voltage (Gate Open, TJ = +110°C, Note 1), VDRM
NTE5688...................................................................200V
NTE5689...................................................................400V
NTE5690...................................................................600V
RMS On−State Current (TC = +80°C, Conduction Angle = 360°), IT(RMS).................. 40A
Non−Repetitive Peak Surge On−State Current (One−Cycle, at 50Hz or 60Hz), ITSM.......400A
Peak Gate−Trigger Current (for 3μs Max), IGTM........................................ 12A
Peak Gate−Power Dissipation (IGT ≤ IGTM), PGM...................................... 40W
Average Gate−Power Dissipation, PG(AV)...........................................750mW
Operating Temperature Range, Topr........................................ −40° to +110°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC.................................1.8°C/W Typ

Electrical Characteristics: (At Specified Case Temperature)
Peak Off−State Current, IDRM
(Gate Open, TC = +110°C, VDRM = Max Rating, Note 1)...................... 1mA Max
Maximum On−State Voltage (TC = +25°C, IT = 40A, Note 1), VTM.................... 2.0V Max
DC Holding Current (Gate Open, TC = +25°C, Note 1), IHold.......................60mA Max
Critical Rate−of−Rise of Off−State Voltage, Critical dv/dt
(VD = VDRM, Gate Open, TC = +110°C, Note 1)...............................200V/μs
Critical rate−of−Rise of commutation Voltage, Commutating dv/dt
(VD = VDRM, IT = 40A, Gate Unenergized, TC = +80°C, Note 1)...................3V/μs
DC Gate−Trigger Current (VD = 12VDC, RL = 30Ω, TC = +25°C), IGT
(T2+ Gate +, T2− Gate −) Quads I and III.................................100mA Max
(T2+ Gate −, T2− Gate +) Quads II and IV................................ 150mA Max
DC Gate−Trigger Voltage (VD = 12VDC, RL = 30Ω, TC = +25°C), VGT................ 2.5V Max
Gate−Controlled Turn−On Time, Tgt
(VD = 400V, IGT = 200mA, tR = 0.1μs, IT = 10A (Peak), TC = +25°C)................ 3μs

Note 1. All values apply in either direction.


Unser Halbleiter Katalog (ohne NTE-Sortiment)
NTE Sortiment (unser ganzes Sortiment)
Einzel-Halbleiter (ganzes Sortiment)

Fehler und Änderungen bei technischen Daten, Abmessungen und Preisen bleiben vorbehalten. Bild kann vom Original abweichen.
Hat sich ein Fehler eingeschlichen? Bitte hier melden


Suchen Sie nach einem Ersatztypen?

Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.