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NTE2984 MOSFET N-Channel 17A 60W High Speed Switch TO-220

Bestell-Nr.:    NTE2984


Verfügbarkeit:     PICTURE_ONLY_ZERO
  auf Anfrage !


NTE2984 NTE-2984 | ECG2984 ECG-2984 | NTE Electronics NTE2984
Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

Features:
- Dynamic dv/dt Rating
- Logic Level Gate Drive
- RDS(on) Specified at VGS = 4V & 5V
- +175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Simple Drive Requirements

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Drain Current, ID
Continuous (VGS = 5V)
TC = +25°C...............................................................17A
TC = +100°C.............................................................. 12A
Pulsed (Note 1).............................................................. 68A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD............................................ 60W
Derate Above 25°C...................................................... 0.40W/°C
Gate-Source Voltage, VGS.........................................................±10V
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), EAS.......................................110mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt.........................................4.5V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -55° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +175°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), TL.......... +300°C
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.....................................10 lbf•in (1.1 N•m)

Thermal Resistance:
Maximum Junction-to-Case, RthJC.......................................... 2.5K/W
Typical Case-to-Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), RthCS.......0.5K/W
Maximum Junction-to-Ambient (Free Air Operation), RthJA.....................62K/W

Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. L = 444μH, VDD = 25V, RG = 25Ω, Starting TJ = +175°C.
Note 3. ISD ≤ 17A, di/dt ≤ 140A/μs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ +175°C.


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.
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