NTE2380 (N-Ch)
Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch

See also >>> NTE2381 (P-Ch)

Description:
The NTE2380 (N-Ch) and NTE2381 (P-Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers.

Features:
- Silicon Gate for Fast Switching Speeds
- Rugged - SOA is Power Dissipation Limited
- Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximim Ratings:
Drain-Source Voltage, VDSS........................................................ 500V
Drain-Gate Voltage (RGS = 1MΩ), VDGR.............................................500V
Gate-Source Voltage, VGS.........................................................±20V
Drain Current, ID Continuous
NTE2380................................................................ 2.5A
NTE2381................................................................ 2.0A
Pulsed
NTE2380.................................................................10A
NTE2381.................................................................. 8A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD
NTE2380...................................................................40W
Derate Above 25°C...................................................0.32W/°C
NTE2381...................................................................75W
Derate Above 25°C.................................................... 0.6W/°C
Operating Temperature Range, Topr
NTE2380.......................................................... -55° to +150°C
NTE2381.......................................................... -65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg
NTE2380.......................................................... -55° to +150°C
NTE2381.......................................................... -65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 62.5°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC
NTE2380...............................................................3.12°C/W
NTE2381...............................................................1.67°C/W
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL
NTE2380.................................................................+300°C
NTE2381.................................................................+275°C


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.