NTE2362 (PNP)
Silicon Complementary Transistors High Speed Switch

See also >>> NTE2361 (NPN)

Description:
The NTE2361 (NPN) and NTE2362 (PNP) complimentary silicon transistors are designed for general- purpose amplifier and high speed switching applications. The high gain of these devices makes it possible for them to be driven directly from integrated circuits.

Features:
- Very Small-Sized Package
- High Breakdown Voltage: VCEO = 50V

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Base Voltage, VCBO.......................................................60V
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 50V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 5V
Collector Current, IC
Continuous...............................................................500mA
Peak.................................................................... 800mA
Collector Dissipation, PC........................................................ 300mW
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C

Note 1. For PNP device (NTE2362), voltage and current values are negative.


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.