NTE2310
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

Description:
The NTE2310 is a silicon multiepitaxial mesa NPN transistor in a TO218 type package designed for use in high voltage, fast switching industrial applications.

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0), VCES...........................................1000V
Collector-Emitter Voltage (IB = 0), VCEO.............................................. 450V
Collector Current, IC
Continuous...................................................................8A
Peak (tp ≤ 2ms).............................................................. 20A
Base Current, IB
Continuous...................................................................4A
Peak (tp ≤ 2ms)...............................................................6A
Power Dissipation (TC = +25°C), PD................................................ 125W
Operating Junction Temperature, TJ...............................................+175°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +175°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.....................................1.2°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.