PNP Germanium Transistor TO-7 Type AF114

Type Designator: AF114
Material of Transistor: Ge
Polarity: PNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 0.075 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 32 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 15 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 2 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 0.01 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 75 °C
Transition Frequency (ft): 75 MHz
Collector Capacitance (Cc): 3 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 50
Package: TO7
Info as pdf-file

Fehler und Änderungen bei technischen Daten, Abmessungen und Preisen bleiben vorbehalten. Bild kann vom Original abweichen.
Hat sich ein Fehler eingeschlichen? Bitte hier melden


Suchen Sie nach einem Ersatztypen?
Wir führen die NTE Austausch-Halbleiter in unserem Sortiment

Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind. Sprachen integrierter Schaltkreis integrated circuit, kurz IC, Mikrochip Microchip integreret kredsløb integreret kredslob circuito integrado (CI) circuit intégré (CI) circuit integre (CI) circuito integrato geïntegreerde schakeling geintegreerde schakeling Tümdevre Tuemdevre