NTE452
Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier, Mixer

Description:
The NTE452 is a silicon, N-channel junction field effect tranistor (JFET) in a TO72 type package designed to be used in the depletion mode in VHF/UHF amplifiers.

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Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Drain-Source Voltage, VDS.......................................................... 30V
Drain-Gate Voltage, VDG............................................................ 35V
Gate-Source Voltage, VGS.......................................................... 30V
Gate Current, IG.................................................................. 10mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD.........................................300mW
Derate Above 25°C.................................................... 1.71mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +175°C


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.