NTE396
Silicon NPN Transistor Power Amplifier & High Speed Switch

(Compl to NTE397)

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO.....................................................350V
Collector-Base Voltage, VCBO...................................................... 450V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 7V
Continuous Collector Current, IC...................................................... 1A
Base Current, IB................................................................ 500mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD.............................................1W
Derate Above 25°C.....................................................5.7mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD.............................................5W
Derate Above 25°C.................................................... 28.6mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC...................................... 35°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 175°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.