NTE384 NTE-384 | ECG384 ECG-384 | NTE Electronics
NTE384
Silicon NPN Transistor
High Voltage Power Amp/Switch
Description:
The NTE384 is a multiple epitaxial silicon NPN power transistor in a TO66 type package utilizing a
multiple-emitter site structure. Multiple-epitaxial construction maximizes the volt-ampere characteristic
of the device and provides fast switching speeds. Multiple-emitter design ensures uniform current
flow throughout the structure, which produces a high IS/b and a large safe-operation-area.
The NTE384 is characterized for use in inverters operating directly from a rectified 110V power line.
The leakage current is specified at 450V; therefore the device can also be used in a series bridge
configuration on a 220V line. The VEBO rating of 9V eases requirements on the drive transformer in
inverter applications.
Features:
- Maximum Safe-Area-of-Operation
- Low Saturation Voltages
- High Voltage Rating: VCER(sus) = 375V
- High Dissipation Rating: PT = 45W
Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components
Absolute Maximum Ratings:
Collector-Base Voltage, VCBO...................................................... 375V
Collector-Emitter Sustaining Voltage
With Base Open, VCEO(sus)...................................................350V
With Reverse Bias (VBE) of -1.5V, VCEX(sus).................................... 375V
With External Base-Emitter Resistance (RBE) ≤ 50Ω, VCER(sus)...................375V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 9V
Collector Current, IC
Continuous...................................................................7A
Peak.......................................................................10A
Continuous Base Current, IB.......................................................... 4A
Transistor Dissipation (TC ≤ +25°C, VCE ≤ 40V), PT.................................... 45W
Operating Junction Temperature Range, Topr................................ -65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/32 in. (0.8mm) from case, 10sec max), TL.......+230°C
Thermal Resistance, Junction to Case (VCE = 20V, IC = 2.25A), RΘJC.................3.9°C/W
Unser Halbleiter Katalog (ohne NTE-Sortiment)
NTE Sortiment (unser ganzes Sortiment)
Einzel-Halbleiter (ganzes Sortiment)
Fehler und Änderungen bei technischen Daten, Abmessungen und Preisen bleiben vorbehalten. Bild kann vom Original abweichen.
Hat sich ein Fehler eingeschlichen?
Bitte hier melden
Suchen Sie nach einem Ersatztypen?
Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig
ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz
für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für
fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen
Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten
vermerkt sind.
