NTE357
Silicon NPN Transistor RF Power Output
PO = 7W @ 175MHz

Description:
The NTE357 RF power transistor is designed primarily for wideband large−signal amplifier stages in the 125−175MHz frequency range.

Features:
- Specified 28V, 175MHz Characteristics −
Output Power = 7.0 Watts
Minimum Gain = 8.4dB
Efficiency = 60%
- Characterized from 125 to 175MHz
- Includes Series Equivalent Impedances

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Emitter Voltage, VCEO...................................................... 35V
Collector−Base Voltage, VCB........................................................ 65V
Emitter−Base Voltage, VEB.........................................................4.0V
Collector Current−Continuous, IC.................................................... 1.0A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD........................................ 86mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. −65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −65° to +200°C


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.