NTE346
Silicon NPN Transistor RF Power Transistor

Description:
The NTE346 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for amplifier, frequency multiplier, or oscillator applications in military and industrial equipment. Suitable for use as output driver or pre-driver stages, in VHF and UHF equipment.

Features:
- Current-Gain-Bandwidth Product-fT = 500MHz (Min) @ IC = 50mAdc
- Power Gain-Gpe = 10dB (Min) @ VCE =12Vdc
- 1 Watt Minimum Power Output @ f = 175MHz
- Multiple-Emitter Construction for Excellent High-Frequency Performance

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO.....................................................20V
Collector-Base Voltage, VCB........................................................ 40V
Emitter-Base Voltage, VEB.........................................................2.0V
Collector Current-Continuous, IC.................................................400mA
Base Current-Continuous. IB.....................................................400mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD............................................ 1.0W
Derate above 25°C...................................................5.71mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD.......................................... 3.5Wa
Derate above 25°C.....................................................20mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg.........................................-65° to +200°C


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.