NTE335
Silicon NPN Transistor RF Power Output

See also >>> NTE336

Description:
The NTE335 and NTE336 are silicon NPN RF power transistors designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30MHz.

Features:
- Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:
Output Power = 80W
Minimum Gain = 12dB
Efficiency = 50%
- Available in Two Different Package Designs:
NTE335 (W52N, Flange Mount)
NTE336 (T93D, Stud Mount)

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO...................................................... 25V
Collector−Base Voltage, VCBO.......................................................45V
Emitter−Base Voltage, VEBO.......................................................... 4V
Continuous Collector Current, IC.....................................................20A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD...........................................250W
Derate above 25°C...................................................... 1.43W/°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC.....................................0.7°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.