NTE329 NTE-329 | ECG329 ECG-329 | NTE Electronics
NTE329
Silicon NPN Transistor
RF Power Amp, CB
Description:
The NTE329 is designed primarily for use in large-signal output amplifier stages. Intended for use
in Citizen-Band communications equipment operating to 30MHz. High breakdown voltages allow a
high percentage of up-modulation in AM circuits.
Features:
- Specified 12.5V, 28MHz Characteristic:
Power Output = 3.5W
Power Gain = 10dB
Efficiency = 70% Typical
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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams
Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 30V
Collector-Base Voltage, VCBO.......................................................60V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 3V
Continuous Collector Current, IC...................................................... 1A
Total Device Dissipation (TC = +25°C, Note 1), PD...................................... 5W
Derate above 25°C.................................................... 28.6mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C
Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only
when the device is operated as an RF amplifier.
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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig
ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz
für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für
fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen
Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten
vermerkt sind.
