NTE323 (PNP)
Silicon Complementary Transistors General Purpose

See also >>> NTE324 (NPN)

Description:
The NTE323 (PNP) and NTE324 (NPN) are complementary silicon epitaxial planer transistors in a TO39 type package designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Base Voltage (IE = 0), VCBO...............................................120V
Collector-Emitter Voltage, VCEO.....................................................120V
Emitter-Base Voltage (IC = 0), VEBO...................................................4V
Collector Current, IC.................................................................1A
Base Current, IB................................................................ 500mA
Total Power Dissipation, Ptot
TC = +25°C.................................................................10W
TA = +25°C.................................................................. 1W
Operating Junction Temperature, TJ...............................................+200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.................................... 17.4°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 175°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.