NTE317 Silicon NPN Transistor RF Power Output

Formerly: ECG317

Silicon NPN Transistor RF Power Output

Description:
The NTE317 is a 12.5V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for HF communications. This device utilizes improved metallization systems to achieve extreme ruggedness under severe operating conditions.

Features:
- 70W Minimum with Greater than 13.5dB Gain
- Withstands Severe Mismatch under Operating Conditions
- Emitter Ballasted
- Low Inductance Stripline Package

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector Base Voltage, VCBO........................................................ 36V
Collector−Emitter Voltage, VCEO...................................................... 18V
Emitter−Base Voltage, VEBO.......................................................... 4V
Maximum Collector Current, IC.......................................................15A
Total Device Dissipation (+25°C), PT...............................................220W
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC.....................................0.8°C/W
Junction Temperature Range, TJ...........................................−65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −65° to +200°C

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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.