NTE129MCP (PNP)
Silicon Complementary Transistors General Purpose Amp

See also >>> NTE128P (NPN)
See also >>> NTE129P (PNP)

Description:
The NTE128P (NPN) and NTE129P (PNP) are silicon complemedntary transistors designed for use in general purpose power amplifier and switching applications.

Features:
- High VCE Ratings
- Exceptional Power Dissipation Capability

Info as pdf-file
NTE/ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Base Voltage, VCBO...................................................... 100V
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 80V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 5V
Continuous Collector Current , IC...................................................... 1A
Power Dissipation, PTOT
TA = +25°C.............................................................. 0.850W
TC = +25°C.................................................................. 2W
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 147°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.................................... 62.5°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.