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NTE78 Si NPN Transistor RF Power Output 3W 27MHz TO-202M

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NTE78 Si NPN Transistor RF Power Output 3W 27MHz TO-202M

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Description:
The NTE78 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for use as 3 to 4 watt RF power amplifiers in HF band mobile radio applications.
Features:
- High Power Gain
- Emitter Ballasted Construction for High Reliability and Good Performance

Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
Collector-Emitter Voltage (RBE = 10Ω), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Collector Dissipation (TA = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10°C/W


Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit
Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0 5 - - V
Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0 75 - - V
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CER IC = 10mA, RBE = 10 Ohms 75 - - V
Collector Cutoff Current ICBO VCB = 30V, IE = 0 - - 100 µA
Emitter Cutoff Current IEBO VEB = 3V, IC = 0 - - 100 µA
DC Forward Current Gain hFE VCE = 10V, IC = 100mA, Note 1 35 70 180  
Output Power PO VCC = 12V, Pin = 250mW, f = 27MHz 6.0 7.5 - W
Collector Efficiency   55 60 - %

Note 1. Pulse test: Pulse Width = 150µs, Duty Cycle = 5%.



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