NTE5543
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 35A, 200V TO-48

See also >>> NTE5541 thru NTE5548

Description:
The NTE5541 thru NTE5548 are silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO48 type case designed for industrial and consumer applications such as power supplies; battery chargers; temperature, motor, light and welder controls.

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Off-State Voltage (TJ = +100°C) VDRM
NTE5541.................................................................... 50V
NTE5542...................................................................100V
NTE5543...................................................................200V
NTE5544...................................................................300V
NTE5545...................................................................400V
NTE5546...................................................................500V
NTE5547...................................................................600V
NTE5548...................................................................800V
Repetitive Peak Reverse Voltage (TJ = +100°C) VRRM
NTE5541.................................................................... 50V
NTE5542...................................................................100V
NTE5543...................................................................200V
NTE5544...................................................................300V
NTE5545...................................................................400V
NTE5546...................................................................500V
NTE5547...................................................................600V
NTE5548...................................................................800V
RMS On-State Current (TC = +75°C), I(RMS)...........................................35A
Peak Surge (Non-Repetitive) On-State Current (One Cycle at 50Hz or 60Hz), ITSM.......300A
Peak Gate-Trigger Current (3μs Max), IGTM...........................................20A
Peak Gate-Power Dissipation (IGT ≤ IGTM for 3μs Max), PGM...........................20W
Average Gate Power Dissipation, PG(AV)...........................................500mW
Operating Temperature Range, Toper........................................ -40° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -40° to +150°C
Typical Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.............................. 1.4°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.