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NTE3321 Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement

Bestell-Nr.:    NTE3321


Verfügbarkeit:     PICTURE_ONLY_ZERO
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NTE3321 Insulated Gate Bipolar Transistor N−Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

Formerly: ECG3321

Insulated Gate Bipolar Transistor N−Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

Features:
- High Input Impedance
- High Speed
- Low Saturation Voltage
- Enhancement Mode

Applications:
- High Power Switching

Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Emitter Voltage, VCES.....................................................600V
Gate−Emitter Voltage, VGES........................................................ ±20V
Collector Current, IC
DC.........................................................................80A
Pulse (1ms)................................................................ 160A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC........................................ 200W
Operating Junction Temperature, TJ...............................................+150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC...................................0.625°C/W
Screw Torque.................................................................... 0.8Nm

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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.
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