NTE2330
Silicon NPN Transistor High Gain Amp w/Internal Zener Diode

Features:
- Excellent Wide Safe Operating Area
- Included Avalanche Diode
- High DC Current Gain
- High Collector Power Dissipation Capability

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Base Voltage, VCBO............................................ 55 (+15, -10) V
Collector-Emitter Voltage, VCEO...........................................55 (+15, -10) V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 5V
Collector Current, IC
Continuous...................................................................4A
Peak.......................................................................20A
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC.............................................. 80W
Operating Junction Temperature, TJ...............................................+150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.