NTE2311
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

Description:
The NTE2311 is a silicon NPN transistor in a TO218 type case designed for use in high voltage, high speed switching applications.

Features:
- High Blocking Capability: VCEX = 1000V
- Wide Surge Area: ICSM = 55A @ 350V

Applications:
- Switchmode Power Supply
- DC/DC and DC/AC Converters
- Motor Control

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Emitter Voltage, VCEO.....................................................450V
Collector-Emitter Voltage (VBE = -2.5V), VCEX.......................................1000V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 7V
Collector Current (tp ≤ 5ms), IC
Continuous.................................................................. 15A
Peak.......................................................................30A
Base Current (tp ≤ 5ms), IB
Continuous...................................................................4A
Peak.......................................................................20A
Power Dissipation, Ptot
TC = +25°C................................................................ 150W
TC = +60°C................................................................ 115W
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +175°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.......................................1°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.