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NTE367 NPN Si-Transistor 9A 16V Po=45W RF-50F6

Bestell-Nr.: NTE367

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NTE367 NTE-367 | ECG367 ECG-367 | NTE Electronics NTE367
Silicon NPN Transistor RF Power Amplifier
PO = 45W @ 512MHz

Description:
The NTE367 is a silicon NPN RF power transistor in a W65 type package designed for 12.5V UHF large-signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512MHz.

Features:
- Specified 12.5V, 470MHz Characteristics:
Output Power: 45W
Minimum Gain: 4.8dB
Efficiency: 55%
- Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
- Built-In Matching Network for Broadband Operation
- Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 20:1 VSWR @ 16V High Line and 50% Overdrive

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 16V
Collector-Base Voltage, VCBO.......................................................36V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 4V
Continuous Collector Current, IC...................................................... 9A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD...........................................117W
Derate Above 25°C.....................................................670mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction to Case, RΘJC...................................... 1.5°C/W

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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.

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1 x	Trimm-Potentiometer 18mm horizontal 100K 250mW Tol=20%
1 x	Leistungs-Metallfilm-Widerstand 100R 2W Tol=5%
1 x	Tandem-Potentiometer 23mm linear 470R 20%:>RTN.A470R
1 x	Gluehlampe 12V 5W (16x54mm) Ba15d Roehrenform
1 x	8-Input Positive-NAND Gate PDIP-14 Type SN74S30N
1 x	Draht-Widerstand 1.5R 9W Tol=5%
1 x	Dual Low-Noise Operational Amplifier PDIP-8 Type NE5532P
1 x	Schutzdiode 1500W/1ms 200V Bidirektional AC Typ 1.5KE200C 1N6303
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1 x	4-Bit Synchronous Binary Counter SOIC-16 Type SN74F161AD
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1 x	Draht-Widerstand 5.6k 11W Tol=5%
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1 x	PVC-Isolierschlauch 200m blau Innendurchmesser=3mm
1 x	Germanium Diode 10V 300mA DO-15 Type OA47
1 x	Schaltdraht YV 0.5mm schwarz 10m
1 x	23mm Draht-Potentiometer 1k-Ohm 2-3W 5% Linear
1 x	Cinch-Doppel-Einbaubuchse mit Kunststoffflansch, RoHS
1 x	Wuerfelstecker-Wuerfelkupplung unverschaltet DIN 45327
1 x	Wickelkondensator 10nF 100V 3x7.5x7.2mm RM=5mm
1 x	Spannungsreferenz einstellbar 2.495V-36V SOIC-8
1 x	Vakuumgreifer SMD-Vampir gebogene Saugduese ERSA SVP100
1 x	Metallfilm-Widerstand 590k 0.6W Tol=1%
1 x	Leistungs-Metallfilm-Widerstand 6.8R 3W Tol=5%
1 x	Longlife-Loetspitze 1.2mm Langform WELLER PT-K7
1 x	2.1W Integrated Audio Amplifier PDIP-16 Type TCA760B
1 x	3-Terminal Adjustable Regulator TO-220 Type LM317T

4231.43CHF

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134.00CHFab 10 126.00CHFab 50 120.51CHFab 100 115.01CHF

NTE367 NPN Si-Transistor 9A 16V Po=45W RF-50F6Bestell-Nr.: NTE367

134.00CHF
ab 10 126.00CHF
ab 50 120.51CHF
ab 100 115.01CHF

NTE367 NPN Si-Transistor 9A 16V Po=45W RF-50F6

Bestell-Nr.: NTE367