NTE347
Silicon NPN Transistor RF Power Output
PO = 3W @ 175MHz

Description:
The NTE347 is designed for 13.6 volt, VHF large signal power amplifier applications required in military and industrial equipment operating to 240MHz.

Features:
- Low lead inductance stripline package for easier design and increased broadband capability.
- Balanced Emitter Construction for increased Safe Operating Area. The NTE347 is designed to withstand an Open or Shorted Load at rated Output Power.
- Specified 13.6 volt, 175MHz Characteristics−
Output Power = 3.0 Watts
Minimum Gain = 8.2dB
Efficiency = 50%

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Emitter Voltage, VCEO...................................................... 18V
Collector−Base Voltage, VCB........................................................ 36V
Emitter−Base Voltage, VEB.........................................................4.0V
Continuous Collector Current, IC.................................................... 0.6A
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD............................................ 15W
Derate Above 25°C...................................................... 86mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................−65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... −65° to +200°C


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.