NTE339
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
Description:
The NTE339 is a 12.5 volt epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for use in large−
signal amplifier stages in industrial communications equipment operating at frequencies to 80MHz.
- Specified 12.5 Volt, 50MHz Characteristics
Output Power = 40 Watts
Minimum Gain = 7.5dB
Efficiency = 50%
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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO.......................................................48V
Collector−Emitter Voltage, VCEO...................................................... 24V
Emitter−Base Voltage, VEBO.........................................................4V
Continuous Collector Current, IC...................................................... 7A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), Ptot.......................................... 100W
Derate Above 25°C.....................................................571mW/°C
Operating Junction Temperature, Tj................................................ +200°C
Storage Temperatures Range, Tstg.........................................−65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC.................................... 1.55°C/W
Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only
when the device is operated as an RF amplifier.
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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig
ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz
für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für
fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen
Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten
vermerkt sind.
