NTE328
Silicon NPN Transistor Power Amp, Switch

Description:
The NTE328 i a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for use in industrial power amplifier and switching circuit applications.

Features:
- High Collector-Emitter Sustaining Voltage
- High DC Current Gain
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- Fast Switching Times

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO.....................................................120V
Collector-Base Voltage, VCB........................................................ 140V
Emitter-Base Voltage, VEB...........................................................6V
Collector Current, IC
Continuous.................................................................. 25A
Peak.......................................................................50A
Base Current, IB...................................................................10A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD...........................................200W
Derate Above 25°C...................................................... 1.14W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC...................................0.875°C/W


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.