NTE261 (NPN)
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

See also >>> NTE262 (PNP)

Description:
The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low-speed switching applications.

Features:
- High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A
- Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 100mA
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 3A = 4V Max @ IC = 5A
- Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO.....................................................100V
Collector-Base Voltage, VCB........................................................ 100V
Emitter-Base Voltage, VEB...........................................................5V
Collector Current, IC
Continuous...................................................................5A
Peak........................................................................ 8A
Base Current, IB................................................................ 120mA
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD............................................ 65W
Derate Above 25°C...................................................... 0.52W/°C
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PD.............................................. 2W
Derate Above 25°C.....................................................0.016W/°C
Unclamped Inductive Load Energy (Note 1), E.......................................50mJ
Operating Junction Temperature range, TJ...................................-65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.................................... 1.92°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 62.5°C/W

Note 1. IC = 1A, L = 100mH, P.R.F. = 10Hz, VCC = 20V, RBE = 100Ω.


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.