NTE250 (PNP)
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

See also >>> NTE249 (NPN)

Description:
The NTE249 (NPN) and NTE250 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3 type case designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

Features:
- High DC Current Gain: hFE = 3500 Typ @ IC = 10A
- Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO.....................................................100V
Collector-Base Voltage, VCB........................................................ 100V
Emitter-Base Voltage, VEB...........................................................5V
Collector Current, IC................................................................ 16A
Base Current, IB................................................................ 500mA
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD...........................................150W
Derate Above 25°C.....................................................0.857W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -55° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.................................... 1.17°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.