NTE197 (PNP)
Silicon Complementary Transistors Audio Power Output and Medium Power Switching

See also >> NTE196 (NPN)

Description:
The NTE196 (NPN) and NTE197 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type package designed for use in general purpose amplifier and switching applications.

Features:
- DC Current Gain Specified to 7 Amps: hFE = 2.3 Min @ IC = 7A
- Collector-Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 70V Min
- High Current-Gain Bandwidth Product:
fT = 4MHz Min @ IC = 500mA (NTE196)
= 10MHz Min @ IC = 500mA (NTE197)

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 70V
Collector-Base Voltage, VCB.........................................................80V
Emitter-Base Voltage, VEB...........................................................5V
Collector Current, IC
Continuous...................................................................7A
Peak.......................................................................10A
Base Current, IB.................................................................... 3A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD............................................ 40W
Derate Above 25°C...................................................... 0.32W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC...................................3.125°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.