NTE195A
Silicon NPN Transistor RF Power Amp/Driver, CB

Description:
The NTE195A is designed primarily for use in large-signal output amplifier stages. Intended for use in Citizen-Band communications equipment operating to 30MHz. High breakdown voltages allow a high percentage of up-modulation in AM circuits.

Features:
Specified 12.5V, 28MHz Characteristic:
Power Output = 3.5W
Power Gain = 10dB
Efficiency = 70% Typical

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCER.....................................................70V
Collector-Base Voltage, VCBO.......................................................70V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................3.0V
Collector Current-Continuous, IC...................................................1.5A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD............................................ 8W
Derate above 25°C.................................................... 28.6mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.