NTE129 (PNP)
Silicon Complementary Transistors Audio Output, Video, Driver

See also >> NTE128 (NPN)

Description:
The NTE128 (NPN) and NTE129 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO39 type package designed primarily for amplifier and switching applications. These devices features high breakdown voltages, low leakage currents, low capacity, and a beta useful over an extremely wide current range.

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NTE/ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 80V
Collector-Base Voltage, VCBO
NTE128.................................................................... 140V
NTE129.....................................................................80V
Emitter-Base Voltage, VEBO
NTE128...................................................................... 7V
NTE129...................................................................... 5V
Continuous Collector Current, IC...................................................... 1A
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD
NTE128.................................................................... 0.8W
Derate Above 25°C.................................................. 4.6mW/°C
NTE129...................................................................1.25W
Derate Above 25°C.................................................7.15mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD
NTE128.....................................................................5W
Derate Above 25°C.................................................28.6mW/°C
NTE129.....................................................................7W
Derate Above 25°C...................................................40mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC
NTE128................................................................ 16.5°C/W
NTE129.................................................................20°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA
NTE128................................................................ 89.5°C/W
NTE129................................................................ 140°C/W
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 60sec max), TL.................+300°C

Note 1. NTE129MCP is a matched complementary pair containing 1 each of NTE128 (NPN) and NTE129 (PNP).


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.