NTE128P NTE-128P | ECG128P ECG-128P | NTE Electronics
NTE128P (NPN)
Silicon Complementary Transistors
General Purpose Amp
Description:
The NTE128P (NPN) and NTE129P (PNP) are silicon complemedntary transistors designed for use
in general purpose power amplifier and switching applications.
Features:
- High VCE Ratings
- Exceptional Power Dissipation Capability
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NTE/ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector-Base Voltage, VCBO...................................................... 100V
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 80V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 5V
Continuous Collector Current , IC...................................................... 1A
Power Dissipation, PTOT
TA = +25°C.............................................................. 0.850W
TC = +25°C.................................................................. 2W
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 147°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.................................... 62.5°C/W
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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig
ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz
für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für
fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen
Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten
vermerkt sind.
