NTE108
Silicon NPN Transistor High Frequency Amplifier

Description:
The NTE108 is a silicon NPN transistor in a TO92 type case designed for low-noise, high-frequency amplifiers, 1GHz local oscillatore, non-neutralized IF amplifiers, and non-saturating circuits with rise and fall times less than 2.5ns.

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NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 15V
Collector-Base Voltage, VCBO.......................................................30V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 3V
Continuous Collector Current, IC...................................................50mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD.........................................625mW
Derate Above 25°C...................................................... 12mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC...................................+83.3°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1), RthJA.........................+200°C/W

Note 1. RΘJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.