NTE63
Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise Amp, Mixer

Description:
The NTE63 is a silicon NPN high frequency transistor designed primarily for use in high-gain, low noise tuned and wiseband small-signal amplifiers and applications requiring fast switching times.

Features:
- High Current Gain-Bandwidth Product: fT = 5GHz Typ @ f = 1GHz
- High Power Gain: Gpe = 12.5dB Min @ f = 1GHz

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO...................................................... 12V
Collector-Base Voltage, VCBO.......................................................20V
Emitter-Base Voltage, VEBO.......................................................... 2V
Continuous Collector Current, IC...................................................40mA
Total Device Dissipation (TL = +50°C), PD.........................................400mW
Derate Above 50°C.....................................................4.0mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Lead, RthJL.....................................250°C/W


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.