Silicon Rectifier Schottky Barrier Typ NTE6084

The NTE6084 is a silicon power rectifier in a DO4 type package designed using the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal.

Features:
- Guardring for Stress Protection
- Low Forward Voltage
- +150°C Operating Junction Temperature Capability
- Guaranteed Reverse Avalanche

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Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
DC Blocking Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Average Rectified Forward Current (VR = 45V, TC = +105°C), IO . . . . . . . . . . 30A
Non Repetitive Peak Surge Current, IFSM (Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60Hz) ... 600A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0μs, 1.0kHz), IRRM . . . . . . . . . . 2A
Voltage Rate of Change (VR = 45V), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V/μs
Peak Operating Junction Temperature (Forward Current Applied), TJ(pk) . . . . . . . . . . . . . +150°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case, RthJC . . . . . . . . . . 2.0°C/W


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