NTE66 NTE-66 | ECG66 ECG-66 | NTE Electronics
NTE66
MOSFET
N-Ch, Enhancement Mode
High Speed Switch TO-220
Description:
The NTE66 is a TMOS Power FET in a TO220 type package designed for high voltage, high speed
power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.
Features:
- Lower RDS(ON)
- Improved Inductive Ruggedness
- Fast Switching Times
- Lower Input Capacitance
- Extended Safe Operating Area
- Improved High Temperature Reliability
Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components
Absolute Maximum Ratings:
Drain-Source Voltage (TJ = +25°C to +150°C), VDSS.................................. 100V
Drain-Gate Voltage (RGS = 1MΩ, TJ = +25°C to +125°C), VDGR.........................100V
Gate-Source Voltage, VGS.........................................................±20V
Continuous Drain Current, ID
TC = +25°C.................................................................. 14A
TC = +100°C.................................................................10A
Pulsed Drain Current (Note 2), IDM...................................................56A
Pulsed Gate Current, IGM.......................................................... ±1.5A
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), EAS.......................................69mJ
Avalanche Current, IAS.............................................................. 14A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD............................................ 77W
Derate Above 25°C...................................................... 0.62W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec max.), TL...................+300°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RΘJC.....................................1.62K/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RΘJA.................................... 80K/W
Thermal Resistance, Case-to-Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), RΘCS.0.5K/W
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.
Note 2. Repetitive rating: Pulse width limited by max, junction temperature.
Note 3. L = 0.53mH, Vdd = 25V, RG = 25Ω, Starting TJ = +25°C.
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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig
ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz
für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für
fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen
Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten
vermerkt sind.
