NTE51
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

Description:
The NTE51 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for high-voltage, high- speed power switching inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited for 115V and 220V SWITCHMODE applications such as switching regulators, Inverters, motor controls, solenoid/relay drivers and deflection circuits.

Features:
- Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ TC = +100°C
- 700V Blocking Capability

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO(sus).................................................400V
Collector-Emitter Voltage, VCEV.....................................................700V
Emitter Base Voltage, VEBO...........................................................9V
Collector Current,IC
Continuous...................................................................4A
Peak (Note 1).................................................................8A
Base Current, IB
Continuous...................................................................2A
Peak (Note 1).................................................................4A
Emitter Current, IE
Continuous...................................................................6A
Peak (Note 1)................................................................ 12A
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PD.............................................. 2W
Derate above 25°C...................................................... 16mW/°C
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD............................................ 75W
Derate above 25°C.....................................................600mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.................................... 1.67°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA.................................. 62.5°C/W
Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL.......................+275°C

Note 1. Pulse test: Pulse Width = 300μs, Duty Cycle = 2%.


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Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.