PNP-Transistor 1A 200V Typ 2N5415 NTE397 TO-39

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Typ: 2N5415 NTE397 TO-39

Silicon PNP Transistor Power Amplifier & High Speed Switch

(Compl to NTE396)

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Diagrams and Info of most NTE-ECG Components

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
Collector-Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V
Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17.5°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C/W


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