NTE322
Silicon NPN Transistor RF Power Output

Description:
The NTE322 is a silicon NPN RF power transistor in a TO202N type package designed for use in Citizen- Band and other high-frequency communications equipment operating to 30MHz. Higher breakdown voltages allow a high percentage of up-modulation in AM circuits.

Features:
- Output Power: 3.5W (Min) @ VCC = 13.6V
- Power Gain: 11.5dB (Min)
- High Collector Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CES ≥ 65V
- DC Current Gain: Linear to 500mA

Info as pdf-file
NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V
Emitter-Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55° to +150°C
Storage Junction Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Note 1. RthJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.


Unser Halbleiter Katalog (ohne NTE-Sortiment)
NTE Sortiment (unser ganzes Sortiment)
Einzel-Halbleiter (ganzes Sortiment)

Fehler und Änderungen bei technischen Daten, Abmessungen und Preisen bleiben vorbehalten. Bild kann vom Original abweichen.
Hat sich ein Fehler eingeschlichen? Bitte hier melden


Suchen Sie nach einem Ersatztypen?

Anmerkung zu den NTE/ECG Austauschhalbleiter:
NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.