NTE2924
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

Features:
- Dynamic dv/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- Isolated Central Mounting Hole
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Simple Drive Requirements

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NTE-ECG replacement list as pdf-file
NTE-ECG diagrams

Absolute Maximum Ratings:
Continuous Drain Current (VGS = 10V), ID
TC = +25°C.................................................................6.8A
TC = +100°C................................................................ 4.3A
Pulsed Drain Current (Note 1), IDM...................................................27A
Power Dissipation (TC = +25°C), PD................................................ 150W
Derate Linearly Above 25°C...............................................1.2W/°C
Gate-to-Source Voltage, VGS.......................................................±20
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2), EAS.......................................410mJ
Avalanche Current (Note 1), IAR.....................................................6.8A
Repetitive Avalanche Energy (Note 1), EAR.......................................... 15mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt.......................................... 3V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ.................................. -55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg.......................................... -55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case for 10sec), TL.................+300°C
Mounting Torque (6-32 or M3 Screw).................................... 10 lbf
in (1.1N
m)
Thermal Resistance, Junction-to-Case, RthJC.................................... 0.83°C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, RthJA...................................40°C/W
Typical Thermal Resistance, Case-to-Sink (Flat, Greased Surface), RthCS...........0.24°C/W

Note 1. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 2. VDD = 50V, starting TJ = +25°C, L = 16mH, RG = 25Ω, IAS = 6.8A
Note 3. ISD ≤ 6.8A, di/dt ≤ 80A/μs, VDD ≤ 600V, TJ ≤ +150°C Note 4. Pules Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.


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NTE-Austauschhalbleiter (früher ECG Philips und Sylvania) sind sorgfältig ausgesuchte und erprobte Halbleiter, die einen sicheren Ersatz für Originaltypen verschiedenster Hersteller und Ursprünge für fast alle Applikationsbereiche im Wartungsdienst bieten.
Alle NTE-Austausch-Halbleiter sind einzeln in durchsichtigen Plastikbeuteln verpackt, auf welchen die wichtigsten Daten vermerkt sind.